SK하이닉스가 3분기 사상 최대 실적에 이어 4분기에도 공정 전환 등으로 원가를 절감해 수익성 개선을 지속하겠다고 밝혔다.

SK하이닉스는 23일 3분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 "과거에 비해 메모리 시장의 변동성이 줄고 지속적인 이익 창출 가능성이 높아짐에 따라 질적 성장에 집중하고 차세대 제품 위한 인프라 확보에 차질이 없도록 할 것"이라고 밝혔다.

구체적으로 "4분기 D램 출하량은 2Y 나노미터 공정을 적용한 서버용·모바일용 제품을 확대해 약 10% 중반 수준으로 늘릴 것"이며 "낸드플래시는 1X 나노미터 공정으로 전환해 20% 중반의 출하량 증가가 예상된다"고 말했다.

D램의 경우 향후 서버 시장에서도 채용 확대가 예상되는 DDR4 제품을 지속적으로 확대 공급할 계획이다. 2Y 나노 4Gb, 8Gb 제품 공급을 시작해 내년부터 DDR4 양산을 늘릴 계획이며 내년 연내에 D램 2Z 나노미터 공정 개발도 마무리한다는 목표다.

SK하이닉스는 이런 기술력 강화를 통해 향후 폭발적으로 증가하는 빅데이터 서버 수요에 대응해 새로운 시장을 창출하겠다는 방침이다. 특히 "내년 상반기에는 보다 나은 서버 안정성을 요구하는 고객들에게 특화된 D램을 제공할 수 있을 것"이라고 전했다.

모바일용 D램의 경우 전체 스마트폰 수요 중에서 약 20% 차지하고 있는 하이엔드 제품은 향후에 6Gb 3GB 솔루션이 주류가 될 것으로 전망했다.

회사 측은 "나머지 80% 정도를 차지하는 로엔드·미디엔드 스마트폰은 4Gb나 8Gb의 1GB·2GB 솔루션이 지속적으로 채택될 것이라고 보고 이 중저가 시장을 확대하도록 노력하고 있다"고 말했다.

낸드플래시 역시 "16나노로 공정 전환이 이뤄지면서 원가를 크게 절감해 3분기 손익분기점 수준의 수익을 올렸다"며 "4분기에는 그보다 더 높은 영업이익을 실현할 것"이라고 예상했다.

올해 투자 규모에 대해서는 "올해 3분기까지 3조9000억원의 투자를 집행했고 4분기에 경기도 이천 신공장(M14) 공사비 지출이 크기 때문에 올해 전체로 따지면 4조원 후반대 투자가 예상된다"고 말했다.

한편 SK하이닉스는 배당에 대해서는 결정한 것이 없다고 밝혔다. 회사 측은 "4분기 실적에 따라 네트 캐시도 가능할 수 있지만 2015년, 2016년의 상황을 봐 적당한 배당금 수준을 정하려고 한다"고 설명했다.