건국대학교 연구팀(물리학부 이상욱 교수)이 노르웨이 과학기술대학 연구팀과 함께 낮은 전압에서도 고효율로 작동하는 응용 소자개발에 성공했다.

이상욱 교수 연구팀은 노르웨이 과학기술대학 (Norwegian Univeristy of Science and technology, NTNU) 헬게 베만 교수 (Prof. Helge Weman), 김동철 교수 연구팀과 함께 갈륨비소안티몬 나노선(GaAsSb Nanowire)에서 나타나는 정류 현상에 대한 원인을 규명하고, 이를 바탕으로 고효율 광검출 소자 및 저전압 논리 소자를 구현했다고 24일 밝혔다.

이번 연구는 미래창조과학부의 중견연구자지원사업과 한국연구재단 국제공동연구사업의 지원으로 진행됐다.

또 연구 결과는 나노 기술 분야의 세계적 권위의 국제학술지인 '나노레터스(nano Letters)' 온라인판에 게재됐다.

연구팀은 자기 자신을 촉매로 사용하는 기체-액체-고체 방식으로 성장시킨 순수한 결정구조의 갈륨비소안티몬 나노선에서 나타나는 정류 현상의 원인이 안티몬 결함에 의해 생성되는 전하의 농도가 축 방향에 따라 연속적으로 변화하기 때문이라는 사실을 처음으로 규명했다.

노르웨이 과학기술대학 허정환 박사와 공동 저자인 건국대 물리학부 박사과정 윤호열 학생은 "이번 연구는 복잡한 구조와 추가 공정 없이 나노선 자체에 형성된 특성으로 전자 소자를 구현 할 수 있음을 보여주었다는데 의미가 있다"고 전했다.