삼성전자가 내장형 M램(embeded MRAM) 생산에 돌입했다. 최근 인텔이 관련 기술을 공개한 상황, 삼성전자는 바로 실제품을 선보이며 다시 한 번 '초격차'를 증명했다.

삼성전자는 6일 엠램 솔루션 제품을 출하하고 기흥캠퍼스에서 출하식을 열었다고 밝혔다.

M램은 자기저항 역학을 활용해 비휘발성이면서도 D램 수준으로 빠른 속도를 내는 차세대 메모리 반도체다. 가격이 저렴하고 내구성이 높다는 장점도 있다. 프로세서 캐시메모리와 전장용 메모리 등으로 각광받고 있다.

삼성전자가 출하한 내장형 엠렘은 IoT 등 소형 전자 제품에 사용될 예정이다. 삼성전자는 M램에 28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정을 기반으로 만들어, 더 빠르면서도 효율이 높고 저렴한 제품을 실현해냈다.

삼성전자의 내장형 엠램은 종전까지 내장형 메모리 사용되던 플래시메모리와 비교해 1000배 가량 빠르다. 데이터 기록시 삭제 과정을 거칠 필요가 없기 때문이다.

에너지 소비 효율도 높다. 데이터가 비휘발성이라 전원을 대기 전력을 필요로 하지 않아서다. 같은 이유로 동작 전압도 낮은 편이다.

구조도 단순하다. 기존 공정 기반 설계에 최소한의 레이어를 더하면 된다. 새로운 제품을 설계하면서 부담을 최소화할 수 있다는 얘기다. 생산 비용도 줄일 수 있다.

앞서 삼성전자는 정은승 파운드리사업부장 주도 하에 M램을 육성해온 바 있다. 업계에 따르면 인텔이 지난 달 내장형 M램 기술을 공개한 상황, 삼성전자는 바로 양산을 시작하며 다시 한 번 초격차를 증명해냈다.

삼성전자는 올해 안에 1Gb 내장형 M램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대한다는 계획이다. 또다른 차세대 메모리인 P램도 내년 양산을 목표로 순조롭게 개발 중으로 알려졌다.

삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 이상현 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다"며 "이미 검증된 삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용하여 차별화된 경쟁력과 뛰어난 생산성을 제공함으로써 고객과 시장의 요구에 대응해갈 것"이라고 말했다.