삼성전자가 세계 최초로 EUV(극자외선) 노광공정을 적용한 D램 양산에 성공했다.

삼성전자는 최근 EUV 공정으로 생산한 1세대(1x) 10나노급 D램 모듈을 고객에 100만개 이상 공급하고 평가를 완료했다고 25일 밝혔다.

EUV 공정이 D램에 적용된 것은 업계 최초다. 삼성전자는 이를 통해 미세공정 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다고 평가했다.

EUV 공정은 회로를 새기는 작업인 멀티 패터닝 공정을 줄이면서도 정확도를 높여 성능과 수율을 높이고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다.

삼성전자는 EUV 공정을 이용해 14나노 초반대인 4세대(1a) 10나노급 D램 양산 기술을 개발 중으로, 향후 차세대 제품 품질과 수율을 기존 공정 이상으로 향상할 예정이다. 특히 1a D램은 1x D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 극대화할 수 있다.

1a D램은 내녕부터 양산할 예정이다. 이후 차세대 제품들도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장 기술 리더십을 강화한다는 방침이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다"며 "내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 올 하반기 평택 신규 라인을 가동하면서 차세대 프리미엄 D램 수요에 대응하는 양산체제를 구축할 계획이다. 내년 DDR5/LPDDR5 D램 시장 확대를 예상하고 고객들과 협력 및 표준화 활동을 추진하며 신제품 탑재 비중도 지속 확대하기로 했다.