삼성전자 메모리 반도체가 코로나19에도 꾸준히 초격차를 벌리고 있다. 극자외선(EUV) 공정을 앞세워 D램 미세화를 주도하는 가운데 패키징 분야에서도 성과를 이어가며 경쟁력을 확대하는 모습이다.

8일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 EUV 공정을 적용한 3세대 10나노(1z) D램 기술을 완성 단계까지 끌어올렸다.

앞서 삼성전자는 EUV 공정을 적용한 1x D램을 양산해, 고객사들에 모듈을 100만개 이상 공급해 만족할만한 평가를 받는데 성공한 바 있다.

EUV 공정을 적용한 1z D램은 불화아르곤(ArF) 공정과 비교해 성능에서는 큰 차이가 없지만, 엣지 활용 수준을 높이는 등 방법으로 수율을 극대화했다.

14나노대(1a) D램 양산 기술 개발도 최근 큰 성과를 거뒀다고 알려졌다. 예정했던 바와 같이 내년부터 양산한다는 계획도 차질 없이 진행할 수 있을 전망이다.

초미세 반도체인 1a D램은 EUV 공정을 적용해야만 만족할만한 성능과 수율을 낼 수 있다는 게 업계 중론이다. ArF 공정을 유지하려던 경쟁사들도 EUV 공정을 적용하는 방향으로 계획을 선회하는 중으로 전해진다.

코로나19도 삼성전자의 '초격차' 전략을 막지 못한 셈이다. 최근 일각에서는 EUV 장비를 독점 공급하는 ASML이 장비 출하와 인력 파견에 어려움을 호소한 만큼 관련 기술과 양산 계획도 다소 늦춰질 수 있다는 우려가 나왔었다.

파운드리 사업에서는 5나노 양산 등 로드맵을 연기할 수 있다는 위기감이 있지만, 삼성전자가 일찌감치 EUV 공정 개발을 이어왔던 만큼 계획대로 추진할 수 있다는 기대감도 높다.

특히 후공정 분야는 삼성전자 반도체 '초격차' 전략에서 새로운 활력으로 주목받고 있다. 반도체 기술 발전이 다소 주춤한 상황에서 속도를 높이는 대안으로 떠올랐기 때문이다.

이른바 '패키징'이라 불리는 분야다. 종전까지는 협력사나 파트너사 중심으로 발전했지만, 삼성전자가 지난해 삼성전기 패널레벨패키징(PLP) 사업부문을 인수하며 기술 역량 강화를 본격화했다.

지난 2월 출시한 고대역폭메모리(HBM)2E가 대표적이다. HBM은 반도체에 구멍을 뚫어 데이터 처리 속도를 끌어올리는 방식으로, SK하이닉스가 처음 개발했지만 2세대에서는 삼성전자가 앞서있는 상태다. 최근 마이크론도 하이브리드 메모리 큐브(HMC) 대신 HBM으로 전략을 선회하면서 본격적으로 시장이 확대되는 분위기다.

파운드리 분야에서도 패키징 중요성은 높아지고 있다. TSMC가 일찌감치 '팬아웃' 기술로 애플의 모바일 AP 위탁 생산을 뺏어갔던 상황, 삼성전자도 기술 개발에 나서면서 파운드리 점유율 확대 계획에 한층 힘을 더했다는 분석이다.