삼성전자가 세계 최대 규모 반도체 공장 가동을 시작했다. 위기 속에서도 거침없는 투자를 통해 초격차를 유지하고 고용 창출에도 힘을 보탠다는 계획이다.

삼성전자는 30일 평택사업장 2라인을 가동한다고 밝혔다.

평택캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며, 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

평택 2라인은 연면적 12만8900㎡에 달하는 세계 최대규모 반도체 생산 라인이다. 업계 최초로 EUV(자외선) 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 비롯해 차세대 V낸드와 초미세 파운드리 제품까지 생산하며 반도체 '초격차' 핵심 역할을 할 예정이다.

앞서 삼성전자는 지난 5월 파운드리 생산라인을, 6월에는 낸드플래시 생산라인을 착공한 바 있다. 2021년 하반기 본격 가동을 예정하고 있다.

평택 2라인은 이재용 부회장이 2018년 8월에 발표한 180조원 투자, 4만명 고용 계획의 일환으로 건설된 것이다. 어려운 여건 속에서도 신규 투자와 채용을 적극 확대하겠다는 노력이다.

이에 따라 평택 1라인에 이어 이번 평택 2라인에도 총 30조원 이상의 대규모 투자가 집행된다. 직접 고용하는 인력은 약 4000명으로 예상되며, 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 기대된다.

평택2라인에서 처음 출하한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용됐다. 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

지난 2월 2세대 10나노급(1y) 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화한 것이다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5,500Mb/s)보다 16% 빠른 6,400Mb/s의 동작 속도를 구현했다. 16GB 제품 기준으로 1초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB(기가바이트)를 처리할 수 있다.

또한 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 8개의 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개 + 8Gb 칩 4개)대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품수가 많은 스마트폰과 폴더블폰 같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에게 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공해 내년 출시되는 AI기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다. 또 고온 신뢰성도 확보해 전장용 제품까지 사용처를 확대해 나갈 예정이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 "이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품"이라며 "프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.