삼성전자가 차세대 메모리 반도체에서 '최초' 양산을 놓쳤지만, 여전히 '초격차'를 유지하고 있다는 평가다. 기술로 보면 경쟁사를 훨씬 앞서있는 상황, 타이틀보다는 내적 발전에 힘을 쏟는 모습이다.

4일 업계에 따르면 미국 마이크론은 지난해 4세대 10나노(1a) D램에 이어 176단 낸드플래시 개발 완료를 발표했다.

지난 1월에는 마이크론 산제이 메흐로트라 CEO가 컨퍼런스콜에서 세계 시장을 주도하고 있다며 시장 주도력을 가졌다는 자신감을 드러내기도 했다.

삼성전자가 모처럼 '세계 최초' 타이틀을 뺏긴 것. 삼성전자는 올해 중으로 차세대 메모리를 양산하겠다고는 밝혔지만, 아직 개발 소식을 알리지는 않았다. 일각에서는 삼성전자가 초격차를 뺏기는 것 아니냐는우려도 내놓고 있다.

그러나 삼성전자는 평온한 단지 양산이 아닌 개발 완료 소식을 굳이 알리지 않는다는 방침. 기술적으로는 여전히 마이크론보다 훨씬 앞서있다는 평가다.

실제로 삼성전자는 지난해 1a D램 개발을 끝낸 상태, 최근 성능 개선을 위한 보안 작업을 거의 마무리하고 1분기 안에는 양산에 돌입할 수 있을 것으로 알려졌다.

우선 D램은 마이크론과 달리 극자외선(EUV) 공정을 도입한다. 기존 불화아르곤(ArF) 공정보다 더 미세하고 정확하게 만들 수 있어 단계를 절반 가량 줄일 수 있다. 생산량을 극대화하면서 생산 비용도 줄일 수 있다는 얘기다.

그 뿐 아니다. 삼성전자는 식각 공정에서 경쟁사 대비 압도적인 기술력을 보유하고 있다. 셀을 더 깊고 독특한 형태로 설계해 제품 안정성을 훨씬 높였다고 전해졌다.

낸드도 마찬가지다. 낸드 기술력은 셀을 얼마나 작게 만들어 많이 쌓는지에 달려있다. 삼성전자는 7세대 V낸드에 처음 더블스택 방식을 도입했다. 싱글스택으로 만든 128단을 2개 붙이는 256단까지는 큰 어려움 없이 양산할 수 있을 전망이다.

반면 마이크론은 이미 128단부터 64단을 2개 쌓는 '더블스택' 방식을 사용해, 176단 제품도 98단 낸드를 쌓아올린 수준에 불과하다. 200단 이상 차세대 낸드를 양산하기 위해서는 또다시 기술을 한단계 높여야한다. SK하이닉스도 같은 상황이지만, 주변부 회로를 적층하는 '4D' 방식으로 경쟁력을 확보한 상태다.

업계 관계자는 "마이크론이 1a D램을 먼저 양산하긴 했지만, 실제 제품을 놓고 보면 EUV를 적용한 삼성전자보다 성능과 안정성 등에서 크게 부족할 가능성이 높다"며 "삼성전자가 EUV를 일찌감치 도입한 만큼, 경쟁사들이 한동안 추격하기는 쉽지 않을 것"이라고 말했다.