김기남 삼성전자 부회장이 초격차를 다짐했다.

김 부회장은 17일 수원 컨벤션센터에서 열린 제52기 정기 주주총회에서 DS 부문 경영 현황 스피치를 진행했다.

여기에서 김 부회장은 올해 미중 갈등과 환율 하락 등 불확실성이 지속될 것이라면서도 경제 성장률은 개선될 것으로 예상하며, 5G와 AI 등이 확산되면서 반도체 수요 확대로 이어질 것으로 낙관했다.

내부적으로는 4세대 10나노급 (1a) D램과 7세대 V낸드 개발을 통한 기술 격차 확대에 주력하고, 데이터 센터와 HPC 등 고성장 시장 선점을 위한 제품 차별화로 주도권을 확보한다는 계획도 밝혔다.

특히 파운드리 부문에서는 5나노 3세대 양산뿐 아니라 차세대 트랜지스터 구조 GAA 개발을 통해 3나노 이하 초미세 공정 기술 리더십도 강화한다는 방침이다. 케파 확대와 생산 효율 극대화 및 고객 다변화도 추진한다.

시스템LSI는 통합칩(SoC) 성장 기반을 확고히하고, 이미지센서 부문 픽셀 기술 차별화와 공급 역량 강화를 통한 1등 기반을 확보하겠다고 약속했다. AI와 5G 등 신성장 사업 기술 개발 활동도 지속 강화한다.

아울러 디스플레이에서는 OLED를 노트 PC와 태블릿 등 신규 응용처로 확대하고 QD 디스플레이 적기 개발을 통한 프리미엄 기반을 구축키로 했다.

김 부회장은 "2021년 선단 공정 기술 리더십을 강화하고 차별화된 제품을 개발해 반도체 시장에서의 우위를 확고히 할 계획"이라고 말했다.