"AMD가 더 미세 공정을 쓰니까 이제 인텔을 앞선 것 아니냐" AMD가 7나노 공정에 처음 진입할 당시 컴퓨터 마니아들을 뜨겁게 달군 주장이다. 당시 인텔은 14나노에서 10나노로 넘어가는 수준, 숫자만으로 보면 AMD가 2배, 면적으로 보면 4배나 더 앞서있는 셈이었다.

그러나 AMD 조차 인텔을 기술적으로 제쳤다고 한 적은 없다. 오히려 여전히 뒤쳐져있지만 소비자들과 약속을 지키며 꾸준히 발전하고 있다고 강조하며 인텔의 '틱톡' 전략을 비판한 정도다.

미세 공정이 더이상 반도체 성능의 핵심 요소인 트랜지스터 밀도를 높일 수 없게 됐기 때문이다. 과거에는 회로에 선폭을 얼마나 미세하게 그리냐에 따라 트랜지스터를 더 작고 많이 넣을 수 있었지만, 이제는 소재와 설계 등 다양한 요인이 추가로 작용하게 됐다.

실제로 인텔 10나노 공정은 TSMC나 삼성전자 7나노 공정보다 트랜지스터가 더 많이 들어가는 것으로 알려져있다.

인텔이 억울해하는 것도 이 지점이었고, 결국 인텔은 자체적으로 공정에 이름을 붙이는 마케팅 꼼수를 내놨다. 10나노엔 '인텔7' 7나노엔 '인텔5'라며 파운드리 업계 숫자 전략을 교묘하게 뒤틀어버렸다. 진짜 2나노가 아니면서도 옹스트롬(A)까지 붙인 미래 공정까지 제시하면서 모두가 인텔이 대단한 일을 해냈다고 속아버렸다.

비슷한 사례가 메모리 반도체에도 있다. 바로 4세대 10나노(1a)를 둘러싼 마이크론과 삼성전자의 묘한 대립이다.

마이크론은 올 초 세계 최초 1a D램 양산을 선언하며 삼성전자를 앞섰다고 자랑했다. 일각에서는14나노가 맞냐는 의심의 메시지를 보내기도 했지만, 확인 결과 셀 크기는 실제로 14나노 중반대에 불과했다.

마이크론이 삼성전자 D램 성능을 앞서는 것은 아니다. D램 성능은 셀 크기 뿐 아니라 팁 형태, 설계 등 다양한 요소와 기술에 의해 좌우되기 때문. 삼성전자는 여러 기술들을 적용해 성능을 극대화하느라 1a D램 양산 시기가 늦어지고 있다는 전언이다.

그러나 삼성전자는 대응하기 참 애매해 보인다. 이미 미세 공정이 반도체 성능을 좌우하는 기준으로 자리잡은 상황에서, 다른 성능 개선 요소들을 소개하기가 쉽지 않아서다.

"누가 현미경으로 다 비교해줬으면 좋겠다" 한 업계 관계자 말이다. 업체에서 직접 하면 위법 요소가 있단다. 직접 해보면 재밌겠다 생각했는데, 초정밀 현미경이라서 제대로 보려면 한 번에 수백만원을 내야한단다. 아쉽지만 판단은 소비자들에 맡겨야겠다.