어플라이드 머티어리얼즈가 전장 반도체에 주로 쓰이는 탄화규소(SiC) 반도체 생산량 증대를 돕는다.

어플라이드는 SiC 제조업체에 200mm 웨이퍼 생산체계를 지원하기로 했다고 14일 밝혔다.

종전에는 150mm 웨이퍼를 활용하던 업체들 대상으로, 더 큰 웨이퍼를 사용해 다이 생산량을 2배 가량 늘릴뿐 아니라 프리미어 전기차 파워트레인 수요에도 대응할 수 있도록 하기 위함이다.

SiC 전력 반도체는 배터리 전력을 효율적으로 토크로 변환하는데 도움을 주는 제품이다. 실리콘보다 더 민감해 제대로 구현하기 어려운 상황, 어플라이드의 첨단 재료 공학을 지원한다는 방침이다.

구체적으로는 새로 개발한 200mm SiC CMP 시스템과 '비스타 900 3D' 핫 이온 임플란트 시스템을 들었다. 실리콘 웨이퍼에 사용하던 기술에 무게 측정 기능을 추가하고 내구성을 확대하는 등으로 SiC에서도 사용할 수 있게 만들었다.

CMP 시스템은 연마와 소재 제거 측정, 세정과 건조를 통합한 미라듀럼으로, 표면조도를 기계로 연마한 웨이퍼 대비 50분의 1, 배치 CMP 공정 시스템 대비 3분의 1로 줄일 수 있다.

핫 임플란트 시스템은 결정 격자 손상을 최소화하고 이온을 주입해, 실온에서의 임플란트보다 저항을 40분의 1로 감소시켰다.

아울러 전장과 통신 등을 관장하는 어플라이드 ICAPS 사업부는 SiC 전력 반도체 시장을 위해 물리기상증착(PVD)와 화학기상증착(CVD) 등 추가 상품을 개발하고 있다. 2021 ICAPS 및 패키징 마스터 클래스에서 이들 기술을 소개하고 있다.

순다르 라마무르티 어플라이드 머티어리얼즈 ICAPS 그룹 부사장 겸 총괄매니저는 "전 세계적으로 반도체 수요가 급증함에 따라 반도체 제조사는 웨이퍼 크기를 지속적으로 대형화해 반도체 생산량을 크게 늘려야 한다. 우리는 현재 또 다른 혁신의 초기 단계며 어플라이드의 재료공학으로 산업 전반이 혜택을 받게 될 것"이라고 말했다.

그렉 로우 크리 사장 겸 CEO는 "운송 산업의 전동화는 상승 추세며 우리는 울프스피드 기술로 실리콘에서 SiC로 변곡점을 가속화하고 있다. 크리는 대형화된 200mm 웨이퍼에 최고 성능의 SiC 전력 소자를 생산해 최종 고객의 가치를 높이고 증가하는 수요에 대응한다"며 "울버니에서 200mm 공정 적격 인증 기간 단축과 모헉밸리 팹의 멀티 장비 설치에 대한 어플라이드의 지원 덕분에 이 같은 전환이 신속하게 이뤄지고 있다. 뿐만 아니라 핫 플랜트 같이 어플라이드 ICAPS 팀이 개발하는 기술은 협업을 강화하고 크리의 전력 기술 로드맵 가속화에 도움이 된다"고 설명했다.