삼성전자가 인공지능 반도체를 한층 발전시킬 기술을 제시했디.

삼성전자는 23일(영국 현지시간) 학술지 '네이처 일렉트로닉스'에 뉴로모픽 반도체 기술과 관련한 논문을 게재했다고 26일 밝혔다. 삼성전자 종합기술원 함돈희 펠로우 겸 하버드대 교수와 박홍근 하버드대교수, 황성우 삼성SDS사장과 김기남 삼성전자 부회장이 함께 집필했다.

뉴로모픽 반도체는 인간 뇌 신경망을 본따 만든 반도체로, 인지와 추론 등 뇌의 고차원적인 기능을 재현해 인공지능을 완벽하게 구현하는 것을 목표로 한다.

이번 논문은 뇌 신경망에서 신경세포(뉴런) 전기 신호를 측정해 연결 지도를 복사, 메모리 반도체에 붙여넣어 뇌의 고유 기능을 재현할 수 있다는 내용이다. 앞서 삼성전자는 2019년부터 미국 하버드대학교 연구팀과 뉴런 신경망을 지도화하는 기술을 협업해온 바 있다.

삼성전자가 제안한 뉴로모픽 반도체는 메모리가 뉴런간 접점 역할을 하는 완전히 새로운 개념이다. 플래시나 저항메모리(RRAM) 등 비휘발성 메모리를 활용할 수 있다. 아울러 100조개에 달하는 뉴런 접점을 메모리망으로 구현하기 위해서는 메모리 집적도를 극대화해야하는 만큼, 3차원 플래시 적층 기술과 고성능 D램에 적용되는 TSV를 통한 3차원 패키징 등 최첨단 기술 활용도 제안했다.

삼성전자는 이번 연구가 학계와 업계 기술 리더들이 참여해 신경 과학과 메모리 기술을 접목하고 차세대 인공지능 반도체에 대한 비전을 보였다는 점에 의미를 부여했다.

삼성전자 종합기술원 함돈희 펠로우는 "이번 논문에서 제안한 담대한 접근 방식이 메모리 및 시스템 반도체 기술의 경계를 넓히고, 뉴로모픽 기술을 더 발전 시키는 데 도움이 될 것"이라고 말했다.