SK하이닉스가 D램 성능을 한단계 끌어올렸다.

SK하이닉스는 20일 업계 최초로 'HBM3'를 개발했다고 밝혔다.

HBM은 D램 여러개를 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 높이는 기술이다. 초미세 공정 한계를 뛰어넘어 많은 데이터를 처리해야하는 인공지능과 빅데이터, 머신러닝 등 분야에서 주목받고 있다. 삼성전자가 처음 개발했지만, SK하이닉스가 지난해 7월 3세대인 HBM2E를 먼저 개발하고 HBM3까지 처음 공개하면서 리더십을 이어가게 됐다.

HBM3는 이전 세대보다 약 78% 빠른 초당 819GB 데이터를 처리할 수 있다. 오류정정코드도 내장해 오류를 스스로 보정하는 기능도 탑재했다.

SK하이닉스는 "이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다"고 강조했다.

용량은 16GB와 업계 최대인 24GB 2종으로 출시된다. 단품 D램 칩을 A4 용지 두께보다 3분의 1에 불과한 약 30마이크로미터 높이까지 갈아 칩 12개를 TSV 기술로 수직 연결하는데 성공했다.

SK하이닉스 D램개발담당 차선용 부사장은 "세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어, 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다"며 "앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다"고 말했다.