SK하이닉스가 HBM3 D램 양산에 돌입했다.

SK하이닉스는 엔비디아에 공급할 HBM3 D램을 양산한다고 9일 밝혔다.

HBM은 D램을 수직으로 연결해 처리 속도를 극대화한 제품이다. HBM3는 4세대로, 최대 819GB/s 속도를 구현한다.

앞서 SK하이닉스는 지난해 10월 HBM3 D램을 세계 최초로 개발한 바 있다. 그동안 샘플 평가를 성공적으로 마치고 양산을 시작한 것.

엔비디아는 HBM3 D램을 3분기 출시 예정인 신제품에 탑재할 예정이다. 가속 컴퓨팅을 비롯한 AI 기반 첨단 기술 분야에서 수요가 이어질 전망이다.

그 밖에도 HBM3 D램 필요성은 높아지는 추세다. 미세화 기술 한계로 차세대 D램 양산이 늦어지는 반면, 빅데이터 등 첨단 기술이 보편화되면서 더 빠른 컴퓨팅을 요구하는 수요가 크게 늘어났기 때문.

SK하이닉스 관계자는 "지난해 10월 말 세계 최초로 개발한 HBM3를 단 7개월 만에 고객에게 공급하며 이 시장의 주도권을 잡게 됐다"며, "이 제품은 초고속 AI 반도체 시장의 새 장을 열게 됐다"고 말했다.

SK하이닉스 노종원 사장(사업총괄)은 "당사는 엔비디아와의 긴밀한 협력을 통해 프리미엄 D램 시장에서 톱클래스 경쟁력을 확보했다"며, "앞으로도 개방형 협업을 지속해, 고객의 필요를 선제적으로 파악해 해결해주는 '솔루션 프로바이더'가 되겠다"고 포부를 밝혔다.