반도체 시장 침체가 장기화되면서 메모리 혁신도 주춤하는 분위기다. D램과 낸드 뿐 아니라 차세대 메모리 운명도 안개속에 빠졌다.

19일 업계에 따르면 4세대 10나노(1a) D램이 지난해부터 양산되고 있지만 시장 침체 등으로 보급이 더디다.

이에 따라 마이크론을 제외하고는 5세대 10나노(1b) D램 양산 계획도 구체화하지 못하는 상황, 6세대 10나노(1γ) D램에 이은 차차기 제품도 수나노대가 아닌 10나노로 개발 중으로 알려졌다. 당초 6세대를 끝으로 수나노대 (0a)에 돌입할 계획이었지만, 일부 조정을 통해 10나노급 D램을 7세대까지 연장하게된 것.

D램은 숫자와 알파벳으로 공정 수준을 표기한다. 30나노대에는 3x, 20나노대에는 2x, 2y, 2z였다. 10나노대에서는 1x와 1y, 1z에 이어 1a와 1b, 1γ로 이어질 예정, 7세대는 1d(델타)로 예상된다.

일단 완전히 확정된 사항은 아니다. 반도체 업계 관계자는 "아직 5세대인 1a D램도 제대로 보급되지 않은 상황에서 1d D램을 논의하기는 너무 이르다"고 말했다. 다만 언제 수나노대 공정으로 진입할 수 있을지는 미지수라는 게 업계 분위기다.

낸드플래시도 마찬가지다. 삼성전자와 SK하이닉스는 연말을 전후해 230단대 낸드 양산을 시작할 예정이다. 마이크론이 최근 232단 양산에 돌입한 상황, 다시 한 번 '세계 최초' 타이틀을 뺏긴 셈이다.

시장 침체가 결정적인 이유다. 미세 공정 난이도가 크게 증가하면서 소수점 수준으로도 공정을 축소하기 어려워진 배경이 있지만, 가격 하락이 본격화하고 치킨게임 우려까지 나오면서 수익성 확보에 초점을 맞추고 전략을 수정할 수밖에 없다는 분석이다.

실제로 SK하이닉스는 최근 컨퍼런스 콜을 통해 최근 시장 추세가 얼마나 빨리 개발하는지보다 안정적으로 제품을 공급하고 수익으로 이어갈 수 있는지로 변하고 있다며 차세대 낸드 양산 방침을 밝힌 바 있다.

차세대 메모리 시장도 보수적인 분위기다. 메모리 가격이 크게 떨어지고 실적 악화까지 겹치면서 인텔은 P램으로 알려진 옵테인을 단종했다. 삼성전자도 M램을 양산 중이고 P램이나 R램 등 차세대 메모리에서도 높은 기술력을 확보한 것으로 알려졌지만, 최근 들어서는 기존 D램과 낸드에 PIM이나 HKMG, 적층 등 새로운 기술을 도입하는데 무게를 싣고 있다는 전언이다.

업계 관계자는 "D램과 낸드가 최근 성능을 대폭 높이게 되면서 차세대 메모리 필요성이 크게 줄어든 게 사실"이라며 "차세대 메모리 연구도 지속하고는 있지만, 반도체 업계도 한동안은 기존 메모리를 개선하는데 집중할 것"이라고 내다봤다.

또다른 관계자는 "차세대 메모리 개발 계획을 상황에 따라 바꾸지는 않는다"면서 "일단 성능 개선 목표는 기존 D램과 낸드를 활용해 선단 공정이나 새로운 기술을 도입하는 방식"이라고 말했다.