SK하이닉스가 모바일용 D램에도 차세대 공정 HKMG를 업계 처음 도입했다.

SK하이닉스는 HKMG를 도입한 LPDDR5X를 개발하고 판매를 시작했다고 9일 밝혔다.

HKMG는 유전율이 높은 물질을 활용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선하는 방법이다. 메모리 속도를 높이면서 전력은 줄일 수 있다.

SK하이닉스가 만든 LPDDR5X는 HKMG를 통해 초전압 범위인 1.01에서 1.12V에서 작동할 수 있게 만들어 이전 세대보다 소비 전력을 25% 줄이는데 성공했다. 그러면서도 속도는 이전 세대보다 33% 빠른 8.5Gbps다.

SK하이닉스는 이를 통해 모바일 디바이스 전력 소비를 더 줄일 수 있을 것으로 기대했다. 탄소 중립을 추진 중인 경영 가치도 충족했다는 설명이다.