SK하이닉스가 속도를 대폭 늘린 새로운 서버용 D램을 개발하며 위기 탈출을 위한 또다른 포트폴리오를 확보하게 됐다.

SK하이닉스는 DDR5 MCR DIMM 샘플 개발에 성공했다고 8일 밝혔다. 앞으로 고성능 컴퓨팅 시장에서 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 조만간 양산에 나설 예정이다.

동작 속도가 초당 8Gb 이상, 종전에 4.8Gb 수준이었던 서버용 DDR5보다 80% 이상 빨라졌다.

SK하이닉스는 D램 단품이 아닌 모듈로 속도를 높이는 방향으로 새로운 개념을 도입해 속도를 크게 개선해냈다. 데이터 버퍼를 사용해 CPU에 데이터를 보내는 랭크를 1개가 아닌 2개가 동시에 작동하도록 한 것. 기술적으로는 같은 시간에 2배로 많은 데이터를 처리할 수 있게 했다는 얘기다.

이같은 시도는 SK하이닉스가 세계 최초로 성공했다. 미국 인텔과 르네사스와 글로벌 협업을 통해 성과를 거뒀다는 설명이다.

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 "당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다"며 "앞으로도 당사는 기술한계 돌파를 위해 지속적으로 노력하여, 서버용 D램 시장에서 1등 경쟁력을 공고히 하겠다"고 말했다.

인텔의 디미트리오스 지아카스 메모리 IO 기술부문 부사장은 "인텔은 SK하이닉스와 함께 당사의 차세대 서버 CPU에 최적화돼 적용될 초고속 제품 개발을 주도해왔다"며, "앞으로도 양사는 MCR DIMM의 표준화와 후속 제품 개발을 위해 긴밀히 협업하겠다"고 말했다.

르네사스의 사미르 쿠파할리) 메모리 인터페이스 부문 부사장은 "이번에 르네사스가 개발한 데이터 버퍼는 제품의 구상부터 완성까지 3년 동안 여러 기술이 집약된 노력의 결실"이라며, "SK하이닉스, 인텔과 협업해 혁신적인 제품을 개발하게 되어 자랑스럽다"고 전했다.