삼성전자가 반도체 패키지에 투자할 수 있다는 기대가 이어지고 있다.

19일 업계에 따르면 이재용 삼성전자 회장은 17일 천안캠퍼스와 온양캠퍼스를 찾았다.

이곳은 삼성전자 반도체의 후공정 거점이다. 완성된 칩을 가공해 상품형태로 만든다. 최근 미세 공정 한계로 칩 발전 속도가 느려지면서 성능을 개선할 수 있는 키워드로 평가받는다. 특히 경쟁사인 TSMC가 후공정 기술로 시장 지배력을 높여왔던 만큼, 파운드리 점유율을 높이기 위해서는 필수 선결 과제로 꼽힌다.

앞서 이 회장이 현장 방문 후 삼성전기 FC-BGA 출고와 삼성디스플레이 QD-OLED 출시에 속도를 냈던 만큼, 이번 방문을 통해 패키징 기술에서도 새로운 도약에 나설 수 있다는 기대가 나온다.

이 회장이 방문한 생산 라인에 의미가 크다. 이 회장은 HBM(고대역메모리)과 WLP(웨이퍼 레벨 패키지) 현장을 직접 방문했다.

WLP는 웨이퍼를 자르기 전에 패키징부터 하는 기술로, 기판을 없애 속도를 높이는 것은 물론 비용도 절감할 수있다. TSMC가 WLP 일종인 팬아웃(Fo) WLP로 애플 수주를 독차지한 것으로 잘 알려져있다.

삼성전자는 지난해 말 FoWLP 기술을 적용한 GDDR6W를 처음 공개하며 기술적 성과를 확인한 바 있다. 종전까지는 WLP보다 난이도가 높지만 수율을 개선할 수있는 PLP(패널레벨패키징)에도 집중하던 상황, 이 회장이 WLP를 방문하면서 적용을 확대할 가능성도 있다.

특히 중요한 분야는 HBM이다. 패키지에서 가장 핵심 기술 역량으로 평가받는 'TSV(실리콘 관통 전극)'를 활용해 성능을 높인 대표적인 제품으로, HBM 생산 라인은 TSV 기술을 극대화하는데 초점을 맞춘다.

TSV는 칩 여러개를 선이 아닌 구멍을 뚫어 연결하는 방식이다. 전기가 통하는 '고속도로'를 뚫었다고 흔히 비유한다. 삼성전자는 CPU와 GPU까지 합친 엑스큐브도 개발했다.

무엇보다도 TSV는 추후 '하이브리드 본딩' 기술과도 연결된다는 점에서 중요성이 높다. 하이브리드 본딩은 칩이 아닌 웨이퍼 단계부터 합쳐버리는 기술이다. 수나노대부터는 3D D램 적용이 불가피한 상황에서 삼성전자도 하이브리드 본딩 기술 적용을 본격화할 전망이다.

실제로 업계에서는 삼성전자가 후공정 업체를 대상으로 '의미 있는 M&A'를 할 수 있다는 전망도 나왔었다. 삼성전자도 최근 패키지 개발팀을 새로 신설한 것으로 알려졌다. 이 회장도 "인재 양성과 미래 기술 투자에 조금도 흔들림이 있어서는 안된다"고 말했던 만큼, 추가 투자 가능성도 적지 않은 분위기다.

재계 관계자는 "거대한 내수시장과 국가적 지원을 받는 중화권 업체들과 경쟁하는 삼성전자로서는 그들보다 한 발 앞서 기술을 확보하는 게 유일한 대응책"이라며 "이 회장은 '앞선 기술'을 조속히 확보하기 위해 공격적인 투자와 인재 육성을 염두에 두고 전략적 행보에 나서고 있다"고 말했다.