삼성전자가 모처럼 반도체 미세공정 초격차를 재확인했다.

삼성전자는 12나노급 16Gb DDR5 D램 양산을 시작한다고 18일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12나노급 D램 개발을 발표한 바 있다. 당시 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마쳤다. D램은 먼저 연구소 등에서 개발을 끝내고 양산 라인을 구축 후 테스트 제품 생산과 함께 여러 시험을 거쳐 본격적으로 양산된다.

12나노급 D램은 삼성전자가 세계 최초일 가능성이 높다. 마이크론이 먼저 5세대 10나노급(1b) D램을 개발했다고 발표하긴 했지만, 테스트 제품 외에는 실제 의미 있는 양산까지 시작했는지 여부가 불투명한데다가 한단계 낮은 13나노급이라는 추측도 나온다. SK하이닉스도 연내 1b D램 양산을 준비 중이다.

구체적인 선폭은 12.8나노다. SK하이닉스와 같다. 메트로신문이 취재한 바에 따르면 삼성전자는 1b부터는 경쟁사보다 0.5나노 선폭을 줄이기로 결정하고 개발을 진행해왔지만, 완성 단계에서 수율 난이도 상승과 시장 침체 우려 등 여러 상황을 감안해 계획을 수정했다. 대신 수율이나 기술력에서는 여전히 경쟁사보다 우위를 지킬 것으로 예상된다. 미세공정 난이도가 급격하게 상승하며 패키징 등 대안에만 초점이 맞춰지는 분위기 속, 삼성전자가 다시 한 번 한계를 넘어서며 실력을 증명했다는 얘기다.

삼성전자는 12나노급 D램이 14나노 D램 대비 생산성이 약 20% 향상됐다고 설명했다. 소비 전력도 약 23% 개선, 전력 운영 효율을 높일 수 있을 것으로 기대했다. 유전율이 높은 신소재를 적용해 커패시터 용량을 확대, 오류도 최소화했다. 최고 동작 속도는 7.2Gbps다. 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리하는 속도다. 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용해 업계 최선단 공정을 완성했다.

업계에서는 삼성전자가 12나노급 D램을 본격적으로 양산하면서 침체됐던 메모리 시장에 다시 활력을 불어일으킬수 있을지 기대하는 분위기다. 서버 업계를 중심으로 DDR5를 기다리는 대기 수요가 악재 중 하나로 평가됐던 상황, 성능과 효율을 대폭 높인 차세대 DDR5 D램이 수요를 재촉하는데 더해 DDR4 D램과 가격 격차도 줄일 수 있기 때문이다.

삼성전자도 최근 감산에 동참하면서 차세대 제품 생산만은 계속 확대하겠다고 밝힌 바 있다. 삼성전자는 앞으로 12나노급 D램 라인업을 확대하며 데이터센터와 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급한다는 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며, "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화하여 D램 시장을 지속 선도해 나갈 것"이라고 말했다.