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SK하이닉스, HBM3E 샘플 공급 시작…성능·발열 개선

SK하이닉스가 HBM3E 개발에 성공하며 시장 리더십을 재확인했다.

 

SK하이닉스는 HBM3E 샘플을 고객사에 공급하기 시작했다고 21일 밝혔다.

 

HBM은 고성능 D램으로, SK하이닉스는 처음 HBM을 개발했을 뿐 아니라 HBM3도 먼저 양산하며 시장을 주도해왔다.

 

HBM3E는 HBM3를 확장한 버전이다. 초당 최대 1.15TB이상 데이터를 처리할 수 있으며, 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 열 방출 성능도 10% 향상시켰다. 하위 호환성도 갖춰 HBM3 시스템에서도 적용 가능하다.

 

SK하이닉스는 "당사는 HBM3를 독점적으로 양산해온 경험을 바탕으로 세계 최고 성능이 구현된 확장 버전인 HBM3E를 개발하는 데 성공했다"며 "업계 최대 HBM 공급 경험과 양산 성숙도를 토대로 내년 상반기부터 HBM3E 양산에 들어가 AI용 메모리 시장에서 독보적인 지위를 확고히 하겠다"고 강조했다.

 

엔비디아 하이퍼스케일, HPC(Hyperscale and HPC) 담당 이안 벅(Ian Buck) 부사장은 "엔비디아는 최선단 가속 컴퓨팅 솔루션즈(Accelerated Computing Solutions)용 HBM을 위해 SK하이닉스와 오랜 기간 협력을 지속해왔다"며 "앞으로도 차세대 AI 컴퓨팅을 선보이고자 HBM3E 분야에서 양사간의 협업이 계속되길 기대한다"고 밝혔다.

 

SK하이닉스 류성수 부사장(DRAM상품기획담당)은 "당사는 HBM3E를 통해 AI 기술 발전과 함께 각광 받고 있는 HBM 시장에서 제품 라인업의 완성도를 높이며 시장 주도권을 확고히 하게 됐다"며 "앞으로 고부가 제품인 HBM 공급 비중이 계속 높아져 경영실적 반등 흐름이 가속화될 것"이라고 말했다.

 

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