국내 반도체 업계가 중국 공장을 안정적으로 가동할 수 있게 됐지만 여전히 핵심 규제가 남아있는 탓에 정상적인 운영은 쉽지 않을 전망이다.

10일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 미국에 '검증된 최종 사용자(VEU)'로 지정된 데 대해 환영을 표했다.

VEU는 대상 기업에 지정된 품목 수출을 포괄적으로 허용하는 제도다. 미국이 중국에 반도체 장비 등 전략 물자 수출을 금지하는 가운데, 예외를 두기위해 마련됐다.

삼성전자와 SK하이닉스는 VEU에 지정되면서 앞으로 중국 공장에 장비 반입 허가 절차를 무기한 유예받을 수 있게 됐다. 1년마다 수출 유예를 갱신하지 않아도 돼 장기적인 전략을 세울 수 있다는 평가다. 외신과 관계자들도 삼성전자와 SK하이닉스에 필요했던 조치라며 긍정적인 반응을 보였다.

그러나 국내 기업들이 중국 생산 공장을 주요 기지로 운영하기는 어렵다는 게 중론이다. 미국 반도체 지원법에 따른 가드레일 조항과 함께, 첨단 반도체를 만들기 위한 핵심 장비인 극자외선(EUV) 수출 금지는 앞으로도 계속 적용된다.

가드레일 조항은 미국 반도체 지원금을 받으면 중국 등 국가에서 18나노 이하 D램이나 128단 이상 낸드플래시 생산 시설에서 10년간 연간 웨이퍼 투입량을 기준으로 5% 이상 확장하지 못하도록 하는 내용이다.

실제로 삼성증권은 10일 '한국 반도체 소부장, 돌아가는 변화의 시계'라는 리포트를 통해 국내 반도체 기업 중국 비중이 점진적으로 하락할 것으로 추정했다. 지난해를 기준으로 40~50%였던 중국 비중이 2025년에는 30~40%로 줄어든다고 봤다.

무엇보다 첨단 장비를 반입하지 못하는 점은 뼈아프다. 웨이퍼 투입을 줄이면서 생산성을 극대화하기 위해서는 첨단 공정이 필수적이지만, EUV 장비가 없이는 첨단 D램을 만들 수 없어서다. 중국에서 D램을 만드는 SK하이닉스의 경우 4세대 10나노(1a) D램부터 EUV를 적용하기 시작했다. 당초 중국에도 EUV를 들일 계획이 있었지만, 미중 무역분쟁으로 무산된 바 있다.

낸드플래시도 마찬가지다. 일단 삼성전자가 시안 팹에서 128단을, SK하이닉스가 인텔에서 인수한 다롄 팹에서 96단과 144단을 만드는 것으로 알려져있다. 양사가 메모리 시장 침체로 낸드 감산과 함께 구형 공정을 선단 공정으로 전환하는 상황, 차세대 제품인 300단을 넘어서면 웨이퍼 2개를 붙이는 '하이브리드 본딩'을 적용해야하는 탓에 웨이퍼 투입 제한 속에서는 생산성을 확보하기 어렵다는 분석도 나온다.