삼성전자가 인공지능(AI) 시대에도 D램 기술 리더십을 이어가겠다고 다짐했다.

삼성전자 D램개발실장 황상준 부사장은 10일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 '초고성능, 초고용량, 초저전력', AI 시대를 확장할 삼성전자 D램의 잠재력'이라는 제목으로 기고문을 게재했다.

황 부사장은 챗GPT로 촉발된 초거대 AI 시대에서 메모리가 중요해졌다며, 삼성전자는 40여년간 업계를 선도하며 쌓은 독보적인 기술 노하우로 다양한 메모리 제품을 준비해왔다고 말문을 열었다.

특히 황 부사장은 HBM 리더십에 대해 강한 자신감을 보였다. 2016년 HBM 사업화를 시작해 HBM3E까지 개발을 끝마쳤다고 소개하고, 2025년을 목표로 6세대 제품인 HBM4를 개발 중이라고 밝혔다. 그동안 문제로 지적됐던 접합 기술을 해결하기 위해 NCF와 HCB 등 차세대 본딩 기술을 준비하고 있다고도 언급했다. AVP 사업부를 통해 턴키 패키징 서비스로 최적화된 솔루션도 제공한다는 방침이다.

삼성전자가 주도하는 DDR5 D램도 차세대 메모리 솔루션에 활용될 것으로 기대했다. 1TB 모듈을 구현했다며, MRDIMM과 CXL 등 차세대 인터페이스에서도 활용될 것으로 예상했다.

PIM도 있다. 2018년 세계 최초로 삼성전자가 개발한 기술로, 메모리에 연산 능력을 더해 효율을 극대화한다. CXL D램에서도 PIM 아키텍처를 구성하는 연구를 진행 중이라고 덧붙였다.

'넥스트 폼팩터'인 LPCAMM도 미래 기술로 소개했다. LPDDR로 고성능에 저전력을 구현했으면서, 탑재 면적을 줄이고 교체와 업그레이드도 가능하다. 이에 따라 모바일은 물론 데이터센터 등 다양하게 응용될 것으로 내다봤다.

황 부사장은 "삼성전자는 D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공할 계획"이라며 "앞으로도 세상이 원하는 반도체를 만들기 위한 기술 혁신의 중심에는 언제나 삼성전자가 있을 것"이라고 마무리했다.