삼성전자가 메모리 반도체 패러다임 전환 시대를 맞아 '초격차'를 지키기 위한 3가지 약속을 제시했다.

삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 17일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 '삼성 메모리의 혁신, 무한한 가능성을 열다'는 기고문을 게재했다. 20일(현지시간) 미국 실리콘 밸리에서 열리는 '삼성 메모리 테크 데이2023'을 앞두고다.

이 사장은 메모리가 초거대 AI로 인해 주요 응용처를 데이터센터로 이동하고 저장뿐 아니라 연산까지 하는 등 역할도 확대되고 있다고 봤다.

그러면서도 삼성전자가 추구한 고부가 제품 공급과 원가경쟁력 확보라는 원칙은 여전히 유효하다고 자신했다.

이에 따라 업계를 선도하기 위해서는 ▲한계에 도전하는 기술 혁신 ▲선단 공정 및 고부가 제품 생산 비중 확대와 R&D 투자 강화 ▲고객, 파트너와의 강력한 협력 관계 등 3가지 축을 더 강화해야한다고 강조하며 핵심 전략을 제시했다.

첫번째로 D램과 낸드플래시의 집적도를 극한의 수준으로 높여 나가고, 고객 맞춤형 제품을 포함한 차별화된 솔루션을 제안해 새로운 시장을 열어 가겠다고 약속했다.

이 사장은 10나노 이하 D램과 1000단 V낸드 시대에는 새로운 구조와 소재 혁신이 중요하다며, 3D 적층 구조와 신물질 개발과 함께 셀적층과 축소 등 강점을 고도화하겠다고 밝혔다. 낸드에 신구조 도입도 준비 중이라고 밝혔다.

특히 차세대 제품인 11나노급 D램과 9세대 V낸드에서 '초격차'를 약속했다. D램은 업계 최대 수준 집적도를 달성하겠다며, 내년 초 양산할 V낸드는 더블스택으로 가장 높은 단수로 만들겠다고 자신했다.

아울러 D램 용량 확대와 CXL 등 새로운 인터페이스 및 HBM과 LPDDR5X CAMM, PIM과 PB SSD 등 새로운 제품군도 미래 전략으로 제시했다.

두번째로는 고부가 제품과 선단공정 비중 확대 및 R&D 투자 강화를 다짐했다. 신규 응용처에 적기 대응하고 라인을 고도화하며 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자도 이어간다는 방침이다.

마지막으로 이 사장은 강력한 협력관계를 구축하겠다고 밝혔다. 고객과 파트너사와 협력을 통해 새로운 제품과 시장을 개척하는 전략이다. 차세대 시스템과 응용에 최적화한 메모리 솔루션을 공동 개발하겠다며, D램과 낸드플래시 혁신 기술을 위한 소부장 협력도 강화하기로 했다.

이 사장은 "그간 삼성전자가 만들어 왔던 성과와 업적들은 실패를 두려워하지 않는 담대함과 반드시 이루고자 하는 간절함, 그리고 과감한 도전이 있었기에 가능했다"며 "삼성전자는 초일류 기술을 기반으로 지속적인 도전과 혁신을 통해 고객들과 함께 성장하며 더 나은 미래를 열어 갈 것"이라고 말했다.