과기정통부가 내년도 1009억원의 예산을 반도체, 디스플레이,이차전지 등 3대 주력기술 분야에 투입한다고 28일 밝혔다. 정부는 올 한해 동안 관련 분야에 신규 사업, 투자 등을 추진해 온 기조를 이어 내년에는'세계 1위 수준의 초격차 기술을 확보하기 위해 원천기술 개발 등에 투자하겠다는 방침이다.

정부는 지난 4월 관계부처 합동으로 반도체·디스플레이·이차전지 '3대 주력기술 초격차 R&D전략'을 발표한 바 있다. 해당 전략에 따라 ▲범부처 차원의 민·관 연구 협의체 출범·운영 ▲미래 핵심기술 분야 R&D 중점 지원 ▲석·박사급 고급인력 양성 ▲연구 인프라 및 국제협력 강화 등 세부 추진전략에 대한 후속조치도 실행했다.

관계부처 합동으로 산·학·연 전문가·단체들로 구성된 '범부처 민·관 연구 협의체'를 반도체(5월)·디스플레이(6월)·이차전지(7월) 분야별로 출범한 것이 대표적이다. 이에 더해 '알성달성 R&D 성과전시회', '통합기술교류회' 등을 정기 개최해 정부 지원 R&D 연구성과를 국민에 알리고, 현장 소통과 공감을 위해 노력하기도 했다.

특히 과기정통부는 올해 저전력·고성능 신소자 개발, 차세대화합물 원천기술 개발, 시스템 반도체 인력양성 등에 대한 지원을 지속하고, 동시에 '국가반도체연구실' 사업을 신규 착수해 19개의 국가 플래그십 반도체연구실을 지정했다.

이어 반도체·디스플레이·이차전지 3대 주력기술 분야 초격차 원천기술 확보와 신시장 창출을 위해 내년 예산으로 총 1009억원(신규 361억원)을 확보하고 민관 협업 기반의 선제적 R&D 투자를 가속화하기로 했다. 내년에는 반도체첨단패키징 핵심기술(64억원), 차세대반도체대응 미세기판기술(64억원), 차세대반도체장비 원천기술(25억원), 온실리콘디스플레이 미래원천기술(33억원), 미래디스플레이전략연구실(30억원), 한계돌파형이차전지 핵심원천기술(35억원) 등의 R&D가 추진될 예정이다.

또 올해에는 설계 전문인력 양성을 위해 반도체 설계 전공 학부생·대학원생들이 자신이 설계한 칩을 제작·검증할 수 있도록 '내 칩(My Chip) 제작 서비스'를 신규 착수했다. 내년에도 주력기술 분야 석·박사급 고급인력 양성을 위해 차세대반도체 인력양성을 지속 추진한다는 방침이다. 반도체 첨단패키징?이차전지 분야 인력양성 사업도 신설하고, 계약학과·계약정원제 등을 통해 기업에 바로 투입할 수 있는 전문인력 양성을 강화한다.

마지막으로 연구자 중심으로 나노인프라 서비스를 개선하고, 기술선진국과의 국제협력을 활성화하기 위한 기반을 마련했다. 올해 과기정통부는 나노종합기술원, 한국나노기술원 등 기존 팹 간 역할 분담을 명확화하고 오픈팹 확대, 품질 개선 등 서비스를 강화했다. 나아가 '팹 서비스 통합정보시스템(MoaFab)'을 구축해 분산된 국가 나노팹을 온라인으로 연계시키고 사용자들에게 원스톱 서비스 창구를 제공할 예정이다.

내년부터는 미국·EU 등과 공동연구를 강화한다. 반도체는 미국 NSF(국립과학연구재단), EU 집행위원회와 함께 공동펀딩으로 양국 연구자를 위한 공동연구를 지원할 예정이다. 미국 NY 크리에이츠 등 글로벌 첨단팹과 연계해 공동연구, 인력교류, 소부장 테스트 지원도 추진한다. 차세대 이차전지 분야 국제공동연구도 내년부터 신규로 지원할 예정이며, 미국 아르곤국립연구소 등과 긴밀하게 협의 중이다.

이종호 과기정통부 장관은 "우리 경제의 미래 먹거리를 위해 반도체·디스플레이·이차전지 3대 주력기술의 원천기술을 확보하는 것은 매우 중요하다"며 "앞으로도 민간에서 필요하나 투자하기 힘든 주력기술분야 차세대 원천기술을 확보하고 전문인력을 양성하기 위해 정부가 지속적이고 체계적으로 지원을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.