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산업>전기/전자

SK하이닉스, 세계 최고 321단 낸드 적용 'UFS 4.1' 개발

AI 최적화·7% 전력 절감·두께 15%↓
내년 1분기 양산 목표

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드 플래시를 적용한 모바일용 솔루션 제품인 UFS 4.1을 개발했다. /SK하이닉스

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 낸드를 적용한 모바일용 저장장치 'UFS 4.1' 제품을 개발했다. 스마트폰 내 기기내장형(온디바이스) 인공지능(AI) 구현에 최적화한 차세대 솔루션으로, 전력 효율과 속도, 두께 등 주요 성능을 대폭 개선한 것이 특징이다.

 

SK하이닉스는 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드 플래시 기반의 모바일용 솔루션 제품인 'UFS 4.1'을 개발했다고 22일 밝혔다.

 

UFS 4.1은 스마트폰 등 모바일 기기에서 AI 기능을 원활하게 구현할 수 있도록 설계됐다. SK하이닉스 관계자는 "고성능·저전력·초슬림이라는 세 가지 핵심 요구를 모두 충족하는 제품"이라며 "플래그십 스마트폰 시장에서 메모리 리더십을 강화할 것"이라고 설명했다.

 

이번 제품은 기존 238단 기반 제품 대비 전력 효율이 7% 향상됐다. 두께는 1mm에서 0.85mm로 줄여 초슬림 스마트폰에도 탑재할 수 있다.

 

대용량 데이터를 순차적으로 읽는 속도는 최대 4300MB/s로, 현존하는 UFS 4.1 제품 중 가장 빠르다. 동시에 여러 작업을 처리하는 랜덤 읽기 속도는 15%, 랜덤 쓰기 속도는 40% 빨라졌다.

 

회사 측은 "앱 실행 속도와 반응성이 체감될 만큼 빨라져 사용자 만족도가 크게 향상될 것"이라고 설명했다.

 

이번 제품은 512GB, 1TB 두 가지 용량으로 출시된다. 연내 고객사 인증을 거쳐 내년 1분기부터 본격 양산에 들어갈 계획이다.

 

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "이번 제품을 시작으로 321단 낸드를 활용한 소비자용·데이터센터용 SSD도 연내 개발을 완료할 계획"이라며 "낸드 부문에서도 AI 시대에 걸맞은 풀스택 메모리 경쟁력을 확보해 나가겠다"고 밝혔다.

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