깜짝 조직 개편한 삼성전자 반도체, 미세 공정 한계 넘을 묘안 찾는다

삼성전자가 위기속 쇄신안을 꺼내들었다. 기술 변곡점을 맞은 파운드리와 D램 개발 조직을 개편하고 기술 전문가를 중용하며 '초격차'를 벌리려는 모습이다. 4일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 최근 파운드리 사업부 기술 책임자(CTO)와 D램개발실장 등에 대한 인사를 단행했다. 삼성전자는 연말 정기 임원인사 외에도 필요에 따라 수시로 조직 개편을 해왔지만, 이번 인사는 반도체 업황 회복이 묘연하고 글로벌 공급망이 재편되는 상황에서 진행된 것이라 의미가 크다는 평가다. 특히 삼성전자가 최근 파운드리 부문에서 선단 공정 선점과 함께 설계자산(IP)을 확대하면서 생태계 확대를 통한 '반도체 비전 2030' 달성 의지를 본격화해온 만큼, 파운드리 경쟁력 강화에 초점을 맞췄다는 분석도 나온다. 새로 파운드리 사업부 CTO로 임명된 정기태 부사장은 1995년 입사해 뉴메모리 개발을 주로 해왔다. 특허정보검색서비스 키프리스 등에 따르면 정 부사장은 상변화메모리(P램)를 비롯한 차세대 메모리와 광섬유 등 반도체 소자와 관련해 다양한 논문과 특허에 참여했다. 차세대 메모리인 임베디드 M램을 양산하는데도 중요한 역할을 했던 것으로 알려져있다.임베디드 M램은 삼성전자가 파운드리 제품에 내장하는 방식으로 제공하고 있다. 정 부사장은 2017년 5월 전무로 승진해 11월 파운드리로 자리를 옮기며 본격적으로 힘을 더하기 시작했다. 세계 최초 28나노 모바일용 OLED DDI를 개발해 2019년 장영실상을 수상했고, 2020년 정기 인사에서 부사장으로 승진하고 기술개발실장으로 근무했다. 업계에서는 정 부사장이 미래 기술 개발에 앞장서왔던 만큼, 파운드리 사업에서도 초격차를 확보하는데 기여할 것으로 기대하고 있다. 1965년생으로, 전임 CTO였던 윤종식 부사장(1961년생)과 세대 교체 의미도 있다. 정 부사장이 맡고 있던 파운드리 기술개발실장 자리는 1968년생 구자흠 부사장이 맡았다. 구 부사장은 미국 노스캐롤라이나주립대학에서 박사학위를 받아 파운드리 사업부에서 근무하며 2012년 상무로 승진하고 나서도 연구위원으로 활동한 기술 전문가다. 2018년 전무로 승진했다. 금속 게이트와 실리콘 옥사이드 등 다양한 소자 활용을 연구한 기록이 있다. 삼성전자는 미세 공정 한계에 부딪힌 D램 개발실도 대폭 개편하며 새로운 시대를 준비하는 모습이다. 황상준 부사장은 D램을 설계하는 메모리사업부 D램 개발실장으로 선임됐다. 1996년 입사해 D램 설계 분야에서 대부분을 근무했고, 최근 전략마케팅실을 거쳤다가 다시 개발 업무로 복귀하게 됐다. 황 부사장은 2013년 삼성전자 뉴스룸에서 'D램 개발 산 증인'으로 소개됐을 만큼 D램 설계 전문가다. 반도체 회로와 관련한 다양한 연구 성과를 보유하고 있다. 당시 황 부사장은 업계에서도 난제로 꼽혔던 20나노급 D램 개발 성과를 특별한 기억으로 꼽기도 했다. 2021년에는 세계 최초 LPDDR5X D램 개발 성과를 냈다. 삼성전자가 최근 D램 미세공정 한계로 차세대 제품에 4F 스퀘어와 3D D램 등 새로운 구조를 연구 중인 상황, 설계 전문가인 황 부사장을 중용하며 활로를 모색하려는 것으로 풀이된다. D램개발실 조직을 개편하고 시스템 반도체 설계 전문가 유창식 부사장에 선행개발팀장을 맡긴 것도 D램 한계를 넘어서기 위한 특단의 조치로 해석된다. 유 부사장은 1998년 삼성전자에 입사했다가 2002년 한양대학교 융합전자학부 교수를 역임하고 2020년 삼성전자로 다시 영입됐다. 교수로 재직했을 당시 아날로그 반도체 설계와 RF송수신기 등 시스템 반도체와 관련해 주로 연구를 해왔다. 한편 삼성전자는 DX부문 네트워크사업부에도 '선행개발팀'을 신설하고 생활가전사업부에도 P&G 출신 이정주 상무를 영입하는 등 조직 개편을 했다. /김재웅기자 juk@metroseoul.co.kr