삼성전자, 12나노급 D램 개발 완료…위기 극복 방법은 '초격차'

삼성전자가 반도체 시장 침체속 '초격차' 기술로 생산성을 높이며 위기 극복 작전을 본격화한다. 삼성전자는 최근 12나노급 공정 16Gb DDR5 D램을 개발하고 AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 내년부터 양산을 시작할 예정이다. 삼성전자는 4세대 10나노급(1a) D램부터 구체적인 숫자 공정을 표기하고 있다. 이번에는 5세대 10나노(1b)급으로, 12.8나노 수준으로 알려졌다. 당초 12.3나노급으로 개발을 거의 마쳤으나, 생산성과 시장 상황 등을 고려해 경쟁사 수준으로 조정해 조기 출시한 것으로 전해진다. 12나노급 D램은 업계 최고 수준 기술을 대거 적용했다. 멀티레이어 EUV공정으로 집적도를 높여 생산성을 약 20% 향상했다. 유전율이 높은 HKMG 등 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계를 도입했다. 최대 동작속도는 7.2Gbps로, 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리하는 속도를 낸다. 그러면서도 소비전력은 약 23% 개선, 넷제로를 추진하는 고객사들에도 도움을 줄 수 있을것으로 기대된다. 삼성전자는 12나노급 D램을 데이터센터와 인공지능 등 다양한 응용처에 공급할 예정, 글로벌 IT 기업들과 협력해 시장을 견인할 계획이다. DDR5를 사용하는 인텔의 차세대 서버용 CPU도 출시를 앞두고 있어 시장 기대감도 커지는 모습이다. 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 이주영 부사장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라며, "차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것"이라고 말했다. 한편 경쟁사인 마이크론도 올해 1b D램 양산 계획을 밝혔다가 일단 연기한 것으로 전해진다. 반도체 다운턴 속 위기감 때문으로 풀이된다. 마이크론은 EUV가 아닌 ArF 공정으로 1b D램을 양산해 삼성전자와 비해 상대적으로 수익성이 떨어지는 것으로 추정된다. /김재웅기자 juk@metroseoul.co.kr