삼성전자, '테크데이 2019' 개최…전세계에 '반도체 초격차' 과시
삼성전자가 전세계에 차세대 반도체 기술력을 과시했다. 차세대 통합칩과 D램, 메모리 등이 처음 소개됐다.
삼성전자는 23일(현지시간) 미국 실리콘밸리 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크데이2019'를 개최했다고 24일 밝혔다.
테크데이는 매년 삼성전자의 반도체 신기술을 선보이는 행사로, 2017년 이후 3번째 개최됐다. 올해에는 '혁신의 동력이 되다'는 주제로 반도체 시장 트렌드와 주요 신제품, 차세대 기술을 소개했다.
행사에는 글로벌 IT 업체와 미디어, 애널리스트 등 500여명이 참석했으며, 삼성전자 시스템 LSI 사업부 강인엽 사장과 미주 지역총괄 최주선 부사장 등이 발표를 맡았다.
이날 삼성전자는 시스템 반도체와 메모리 반도체 부문에서 다양한 신제품과 신기술을 중점적으로 소개했다.
모바일 AP '엑시노스 990'이 가장 많은 주목을 받았다. 7나노 극자외선(EUV) 공정으로 만들어진 차세대 통합칩(SoC)으로, NPU(신경망처리장치) 2개와 '2+2+4 트라이 클러스터'를 적용한 CPU등으로 속도와 효율을 동시에 높였다. 인공지능 활용처도 확대할 수 있다. '얼굴인식'과 '온 디바이스 AI'를 결합하면 보안성도 획기적으로 강화된다.
이미지처리장치(ISP)도 이미지센서를 최대 6개까지 확장할 수 있게 했다. 스마트폰에 카메라를 6개까지 장착할 수 있다는 의미다. 최신 GPU인 Mali-G77를 통해 그래픽 능력도 크게 제고했다.
엑시노스 모델 5123은 초당 5.1Gb 다운로드 속도를 구현한 제품으로, 기존 제품보다 2배 가량 빠르다. 5G망을 단독 사용하는 SA모드와 LTE와 망을 공유하는 NSA모드 모두 사용할 수 있어 과도기 범용성도 높였다.
삼성전자 시스템 LSI사업부 강인엽 사장은 "우리의 일상에 다양한 AI 서비스와 5G 통신이 빠르게 적용되고 있다"라며, "차세대 프리미엄 모바일 솔루션인 '엑시노스 990'과 '엑시노스 모뎀 5123'은 AI, 5G 시대에 최적화된 혁신적인 제품이다"라고 밝혔다.
3세대 10나노급(1z) D램도 이날 처음 공개됐다. 업계 최초로 양산을 시작했으며, 역대 최대 용량인 512GB DDR5 D램 등 솔루션을 출시하겠다고도 약속했다.
D램 개발실 박광일 전무는 "지난 3월 업계 최초로 3세대 10나노급(1z) D램을 개발한 데 이어, 최고 속도·최대 용량의 DDR5 D램, 모바일 LPDDR5, 초고속 GDDR6, HBM3 등 차세대 프리미엄 라인업을 적기에 양산할 수 있도록 준비하고 있다"라며, "향후에도 기술 리더십을 지속 유지하는 한편, 에코시스템 업체들과 자율주행, AI 응용시장에서 안전성 향상을 위한 기술 협력을 확대해 나갈 것"이라고 밝혔다.
7세대 V낸드 기술도 선보였다. 지난 7월 6세대 V낸드에 이어 용량과 성능을 2배 높이는 내용이다. 특히 7세대 V낸드는 업계 최초로 100단 이상 셀을 한번에 뚫는 공정을 적용해 주목을 받고 있다. 내년 출시를 예고했다. 2세대 Z낸드 라인업도 함께 공개했다.
낸드플래시 개발실 강동구 상무는 "2013년 3차원 V낸드 양산을 통해 새로운 메모리 시장을 창출한 이래 세대가 증가할수록 기술 난이도가 더욱 높아지고 있다"라며, "7세대 V낸드에는 더욱 혁신적인 기술을 적용해 속도와 용량을 향상시켜, 고객들이 소비자의 사용편의성을 높인 차세대 시스템을 계획대로 출시하도록 도울 것"이라고 말했다.
아울러 성능을 최대 2배 이상 높일 수 있는 차세대 'PCIe Gen5 NVMe SSD' 기술 사업화와 스마트폰 대용량 솔루션 '12GB LPDDR4X' 등을 공개하고 여전한 초격차를 자신했다.
삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장은 개회사를 통해 "AI·5G·클라우드/엣지 컴퓨팅·자율 주행 등 빠르게 변화하는 시장 트렌드에 최적화된 차세대 반도체 솔루션을 선보이게 되어 기쁘다"라며, "앞으로도 더욱 혁신적인 반도체 기술 개발을 통해 미래 IT 산업 전반에 걸쳐 새로운 가능성을 열어 나가는데 기여할 것"이라고 말했다.
