HBM·D램 업고 기지개 켜는 반도체...삼성·SK, 생산능력 확대 분주

고대역폭메모리(HBM)를 비롯 D램 등 범용메모리의 가격이 견조한 상승세를 보이고 있다. 메모리 수요 기업들이 장기 계약과 선주문을 확대하면서 삼성전자와 SK하이닉스가 실적 고공행진을 이어갈 것이라는 관측이 제기된다. 복합적인 호황세 속에서 주요 메모리 기업들은 생산능력 확대에 속도를 내는 모습이다. 3일 업계에 따르면 DDR4 8Gb(1Gx8) 고정거래가격은 지난 10월 평균 7달러로 집계됐다. 이는 최근 10년래 최고가에 근접한 가격이다. 특히 현물가격은 10달러선에 거래되며 상승 흐름을 이어가고 있다. 인공지능(AI) 투자 확대에 따라 제품 가격 상승세가 당분간 지속될 것이라는 의견이 지배적이다. 이에 주요 메모리 기업들은 HBM과 D램 양산 비중을 조율하며 중장기 생산전략을 정비하는데 집중하는 분위기다. 단기적으로는 범용 메모리의 단가 상승을 활용한 수익 확대를 꾀하는 동시에 중장기적으로는 HBM 중심의 프리미엄 시장 선점에 나선다는 전략이다. 삼성전자는 HBM 생산라인 증설을 검토 중이다. 최근 3분기 실적 컨퍼런스콜에서 내년 HBM 공급물량을 이미 확보한 데다 추가 주문 의뢰도 이어지고 있다며 엔비디아에 HBM3E를 공급 중이라는 사실을 간접적으로 시사한 바 있다. 또한 HBM4용 1c 기반 생산라인 확장 계획을 밝히며 수율과 성능을 안정화하기 위해 관련 설비 투자를 가속화할 것임을 시사했다. 또한 삼성전자는 전체 투자 중 D램 비중을 전년 대비 확대할 예정이라고 밝히며 제품 수요에 맞춘 투자를 예고했다.DDR5 또한 128Gb 이상 제품으로 설비 전환을 진행 중이다. SK하이닉스 또한 HBM 등을 생산할 청주 M15X 공장(팹)에 장비 반입을 시작하며 연내 준공 목표로 박차를 가하고 있다. 청주 M15X는 20조원 이상을 투입해 짓는 M15의 확장 팹으로, SK하이닉스는 이를 통해 D램, 낸드 플래시 등 메모리 전 제품의 수요에 대비해 생산능력을 늘릴 전략이다. M15X는 올 4분기에 준공하고 내년부터 차세대 D램과 HBM 등 주요 제품을 생산하는 것이 목표다. 아울러 SK하이닉스는 경기도 용인에 위치한 415만㎡ 규모 부지의 '용인 반도체 클러스터'에 건설 중인 용인 1기 팹 공사도 진행 중이다. 빨라진 M15X의 램프업 속도를 고려해 용인 1기 팹 건설 공기 단축에도 속도를 낼 방침이다. 특히 용인은 용적률이 350%에서 490%로 상향돼 클린룸을 더 늘릴 수 있게 돼 늘어나는 고객 수요 대응에 충분할 것으로 전망된다. 이종환 상명대 시스템반도체학과 교수는 "메모리 기업들은 제한된 생산 자원 안에서 수익성을 극대화하기 위해 생산 비중을 조정할 것"라며 "특히 HBM 등 고부가가치 제품에 웨이퍼 투입을 늘리면 범용 제품 생산은 줄어들 수 밖에 없으며, 결국 기업들은 고수익 제품 중심으로 생산 구조를 재편할 가능성이 크다"고 말했다. /차현정기자 hyeon@metroseoul.co.kr